elektro a technika · Joule Thief JFET MOSFET

  Napadlo mě, jestli by nešlo zvýšit výkon Joule thief měniče a zároveň snížit startovací a provozní napětí. Na internetu jsem našel, že pokud se použije MOSFET s ochuzeným kanálem 2SK170 (vede i při 0V na G) a trafo s velkým počtem závitů bodícího vinutí, tak to chodí až do 25 mV (odkaz). To ale má velmi slabý výkon, protože nejvyšší proud D je jen 20 mA a má velký odpor kanálu. Proto jsem paralelně zapojil logický MOSFET s prahovým napětím 1,5 V a odporem kanálu 44 mOHM, jehož elektroda G je buzená z druhého vinutí, které slouží i jako sekundární. Bylo by ale lepší navinout oddělené vinutí silnějším drátem, než použitý D=0,14mm, protože odpor při 300 závitech je 12 OHM. Bohužel už se mi na použité jádro nevešlo, což napravím u prototypu 2. 

  Pokud je na vstupu alespoň 200 mV pro 4S LED a 130 mV pro jednu LED, tak první tranzistor rozkmitá trafo, vybudí druhý tranzistor a ten převezme veškerý výkon díky nižšímu odporu kanálu a funguje až do 120 mV při 4s LED a 50 mV při jedné LED. Na jedné LED se udržuje napětí 3V, na 4 sériově 12V. Zenerovy diody antisériově chrání gate a mag. vazbou i výstup, bez nich MOSFET odejde. Odpor 1M je třeba zapojit jedním vývodem od země, protože pokud je u G MOSFETu, tak se nerozkmitá až do cca 1,3V, pravděpodobně díky zrušení kapacitní vazby v trafu.

Odběr při 200mV je cca 100mA a se zvyšováním napětí vzrůstá až na 5A pří 0,5V, pro je pro vyšší napájecí napětí nutné snížit počet závitů z 8:300:300 na 8:50:50 nebo jako u klasického JT 1:1:1, to vyzkouším u dalšího prototypu.